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高精密的CMOS输出晶振常常用于通信设备X1G005591024000

2022-09-06 17:24:48 

高精密的CMOS输出晶振常常用于通信设备X1G005591024000,科技带来创新,当我们能够快速感知到新型的高科技产品穷出不尽,便能够感知到世界的变化,每时每刻都处于变化之中,当高科技与石英晶体振荡器搭配时,一款有灵魂的产品便诞生了,当晶振与其产品密切的链接时,说明搭配非常合拍,晶振能够与众多的电子产品形成完美的搭配,在于其所蕴含的高价值。

爱普推出了编码X1G005591024000,频率24.000000兆赫,输出CMOS输出晶振,供电电压1.62至3.63 V,尺寸(长×宽×高)3.20 × 2.50 × 1.20毫米,工作温度-40到+105°C,频率公差±50ppm额外的OptionsN /OSC TypeProgrammable Clock时钟OSC。

Product Number 爱普生晶振型号
Frequency LxWxH Output Wave Supply Voltage Ope Temperature Freq. Tol. I [Max]
X1G005591022800 SG-8018CE 44.236000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005591022900 SG-8018CE 100.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 5.9 mA
X1G005591023000 SG-8018CE 27.120000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005591023100 SG-8018CE 30.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005591023400 SG-8018CE 12.500000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591023500 SG-8018CE 38.200000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005591023600 SG-8018CE 16.670000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591023700 SG-8018CE 37.125000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005591023800 SG-8018CE 20.480000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005591023900 SG-8018CE 6.750000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591024000 SG-8018CE 24.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005591024100 SG-8018CE 33.333000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005591024200 SG-8018CE 24.545454 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 4.4 mA
X1G005591024300 SG-8018CE 16.500000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591024400 SG-8018CE 3.579545 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591024500 SG-8018CE 76.500000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 5.9 mA
X1G005591024600 SG-8018CE 19.800000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591024700 SG-8018CE 1.024000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591024800 SG-8018CE 14.318000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591024900 SG-8018CE 4.915200 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591025000 SG-8018CE 66.666660 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 5.2 mA
X1G005591025100 SG-8018CE 1.344000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591025200 SG-8018CE 1.490944 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
X1G005591025300 SG-8018CE 1.638400 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm CMOS 1.620 to 3.630 V -40 to 105 °C +/-50 ppm ≤ 3.5 mA
高精密的CMOS输出晶振常常用于通信设备X1G005591024000,进口晶体振荡器是利用石英晶体(二氧化硅的结晶体)的压电效应制成的一种谐振器件,它的基本构成大致是:从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片(简称为晶片,它可以是正方形、矩形或圆形等),在它的两个对应面上涂敷银层作为电极,在每个电极上各焊一根引线接到管脚上,再加上封装外壳就构成了石英晶体谐振器,简称为石英晶体或晶体、晶振。其产品一般用金属外壳封装,也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。

X1G0055910240 11为了能让振荡器(俗称晶振)在稳定的情况下保持高精度,通常用石英晶体来做频率确定设备,以产生另一种通常称为石英晶体振荡器(XO)的振荡器电路。当电压施加到一小块压电石英晶体上时,它开始改变形状,产生一种称为压电效应的特性。这种压电效应是晶体的特性,通过这种特性,电荷通过改变晶体的形状来产生机械力,反之亦然,施加到晶体上的机械力会产生电荷。然后,压电设备可以归类为换能器,因为它们将一种能量转换为另一种能量(电到机械或机械到电)。这种压电效应会产生机械振动或振荡,可用于替代以前振荡器中的标准LC谐振电路。

有许多不同类型的晶体物质可以用作振荡器,其中最重要的电子电路都使用石英晶体,很大部分原因是石英晶体具有更高的机械强度。

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