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Greenray新T58 TCXO提供高达50ppb的高频稳定性

2023-10-14 11:47:51 

Greenray新T58 TCXO提供高达50ppb的高频稳定性

Greenray Industries,Inc .是美国领先的精密石英晶体振荡器制造商。Greenray Industries设计和制造高性能频率控制器件,包括石英晶振,贴片晶振,OCXOs、TCXOs、VCXOs,时钟振荡器,石英晶体振荡器我们制造SMT,通孔,混合和定制产品。格林瑞致力于提供紧密稳定性满足客户特殊需求的振荡器。低相位噪声也是优先考虑的问题,这些器件提供多种封装选项,包括SMT。同时提供优秀的振动、冲击和加速度灵敏度性能,我们的加固元件还提供了具有竞争力的稳定性和相位噪声特性。事实上,我们的几款TCXOs的稳定性能与OCXO相当,但没有过多的功耗和预热时间。此外,我们还提供具有出色性能的自校准振荡器可靠性和长期稳定性.

主要产品特性:正弦波、CMOS、ECL PECL和TTL输出,工作温度范围为-55至+125°C,OCXO频率稳定度达到0.005ppm,TCXO频率稳定度达到0.04ppm,高达100,000克的冲击,耐200克拉(国际单位)TID辐射,g灵敏度< 5 x 10-10


Greenray新T58 TCXO提供高达50ppb的高频稳定性、高抗冲击能力和宽工作温度范围。

Q2,2023年–新型T58系列TCXO振荡器的工作频率范围为10至50MHz,在较宽的温度范围内频率稳定性可达50ppb,功耗低(< 8 mW),采用坚固的5.0x3.2mm封装,抗冲击能力可达50.000g。工作温度范围可扩展至-55°C至+125°C(指定部件号T56 TCXO)。T58 TCXO具有超过10年的小于4 ppm的长期老化、小于0.7 ppb/g的低加速度灵敏度、+3.3 VDC电源、CMOS或削波正弦输出和用于精确调谐或锁相应用的EFC。极高的频率稳定性和宽温度范围——非常适合各种应用,包括5G、Stratum3、移动无线电、移动仪器仪表、机载和无线通信、高冲击电子设备和微波接收机。

T58 TCXO温补晶振特征:
坚固耐用的5.0 x 3.2mm毫米封装贴片晶振
频率:10至52兆赫
稳定性达到0.05ppm (-40至+85°C)
3.3 Vdc电源
CMOS或限幅正弦输出


Greenray新T58 TCXO提供高达50ppb的高频稳定性

温补晶振即温度补偿晶体振荡器(TCXO),本身具有温度补偿作用,是通过附加的温度补偿电路使由周围温度变化产生的振荡频率变化量削减的一种石英晶体振荡器,高低温度稳定性:频率精度0.5PPM~2.0PPM,常用频率:26M,33.6M,38.4M,40M.因产品性能稳定,精度高等优势,被广泛应用到一些比较高端的数码通讯产品领域,GPS全球定位系统,智能手机,WiMAX和无线通信等产品,符合RoHS/无铅.

Greenray TCXOs设计用于通信、仪器仪表和国防应用。我们的TCXO石英晶振具有1ppm或更低的温度稳定性,提供多种封装,包括SMT,工作频率范围为20 KHz至1 GHz。我们合并了前沿设计和创新制造技术生产出非常坚固的TCXO,非常适合移动和空中应用。我们的TCXOs具有紧密的稳定性、低相位噪声和超低g灵敏度。


模型 包装(毫米) 频率范围(MHz) 温度稳定性(ppm) 输出
T52 5.0 x 3.2 10 - 52 0.1 CMOS,限幅正弦
T56 5.0 x 3.2 10 - 52 0.1 CMOS,限幅正弦
T58 5.0 x 3.2 10 - 52 0.1 CMOS,限幅正弦
T70 7.0 x 5.0 10 - 50 0.1 HCMOS
T71 7.0 x 5.0 10 - 50 0.1 HCMOS
T72 7.0 x 5.0 10 - 50 0.1 削波正弦
T73 7.0 x 5.0 10 - 50 0.1 削波正弦
T90 9.1 x 7.5 10 - 100 0.3 HCMOS
T91 9.1 x 7.5 10 - 100 0.3 HCMOS
T120 22.9 x 17.8 10 - 100 0.5 互补型金属氧化物半导体
T121 17.3 x 17.3 50 - 100 0.5 正弦波
T124 17.3 x 17.3 650赫兹至5.0兆赫 0.3 互补型金属氧化物半导体
T1215 9.1 x 7.5 750KHz - 800MHz 0.3 CMOS、限幅正弦、LVPECL、LVDS
T1220 20.3 x 12.7 10 - 50 0.1 CMOS,限幅正弦
T1241 17.3 X 17.3 50 - 100 2.0 互补型金属氧化物半导体
T1243 22.9 x 17.8 10 - 50 2.0 互补型金属氧化物半导体
T1244 14.2 x 9.1 50 - 150 1.0 LVPECL
T1247 36.1 x 26.9 10 - 50 0.03 互补型金属氧化物半导体
T1254 20.3 x 12.7 10 - 50 1.0 互补型金属氧化物半导体
T1276 34.8 x 20.2 2.5 - 120 1.0 互补型金属氧化物半导体
T1282 17.3 x 17.3 40 - 100 3.0 CMOS方波
T1300 20.3 x 12.7 10 - 50 2.0 互补型金属氧化物半导体
T1307 9.1 x 7.5 10 - 50 1.0 CMOS,限幅正弦
T1354 20.3 x 12.7 10 - 100 1.0 削波正弦
ZT600 29.2 x 25.4 10 - 125 0.5 互补型金属氧化物半导体
ZT601 29.2 x 25.4 10 - 500 0.3 正弦波
ZT610 20.3 x 12.7 10 - 50 0.5 互补型金属氧化物半导体





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