西铁城晶振,贴片晶振,CM200C晶振,CM200C32768DZBT晶振|西铁城晶振

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西铁城晶振,贴片晶振,CM200C晶振,CM200C32768DZBT晶振

频率：32.768KHz

尺寸：8.0*3.8*2.5mm

产品具有无源32.768KHZ,也有带电压模式的32.768KHZ晶体系列,产品应用范围非常广阔,比如多种电子消费类,手机应用,蓝牙多功能播放器,无线通讯产品,平板电脑等多个领域,因32.768KHZ晶体本身外观款式多元化,所以适合多个产品应用.并且满足欧盟ROHS环保要求,晶体本身有重量轻,体积小,薄型等多种优势,得到市场认可.

订购热线：0755-27838351

西铁城晶振,贴片晶振,CM200C晶振,CM200C32768DZBT晶振贴片晶振本身体积小,薄型石英晶体谐振器,特别适用于有目前快速发展的电子数码产品,因为晶振本身小型化需求的市场领域,小型?薄型是对应陶瓷谐振器（偏差大）和普通的石英晶体谐振器（偏差小）的中间领域的一种性价比较出色的产品.

西铁城晶振公司为工业市场提供高性能和精密设备,在使用高精度材料的高精度中，效率很好地量产零部件的事也是本公司独自的核心技术。在材料技术和超精密加工技术，薄膜技术，连接技术，组装技术等，使石英和水晶等高精度零部件，产生了液晶装置，传感装置等高质量的功能器件产品。特别是，L - COS（Liquid crystal on silicon）采用了铁电液晶显示器，已经微高品位相机配备到前进了很高的评价。今后的车载显示屏和头部显示屏等的次世代显示器系统搭载的可能性很大

贴片晶振晶片边缘处理技术：贴片晶振是晶片通过滚筒倒边，主要是为了去除石英晶振晶片的边缘效应，在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理，有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效应不能去除，而石英晶振晶片的谐振电阻过大，用在电路中Q值过小，从而电路不能振动或振动了不稳定。

西铁城晶振	单位	CM200C	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	32.768kHz	标准频率
储存温度	T_stg	-55°C ～ +125°C	裸存
工作温度	T_use	-40°C ～ +85°C	标准温度
激励功率	DL	1.0μW Max.	推荐:1.0μW
频率公差	f_— l	±5 × 10-6 /±10 × 10-6/±20 × 10-6	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.ndkcrystal.net/
频率温度特征	f_tem	-0.034±0.006ppm/℃2	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	6.0pF/7.0pF/9.0pF/12.5pF	不同负载要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±3 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

CM200C_CM250C

激励功率

在晶体单元上施加过多驱动力，会导致石英晶振特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率（请参阅“激励功率”章节内容）。

负极电阻

除非振荡回路中分配足够多的负极电阻，否则振荡或振荡启动时间可能会增加（请参阅“关于振荡”章节内容）。西铁城晶振,贴片晶振,CM200C晶振,CM200C32768DZBT晶振

负载电容

振荡电路中负载电容的不同，可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差。试图通过强力调整，可能只会导致不正常的振荡。在使用之前，请指明该振动电路的负载电容（请参阅“负载电容”章节内容）。

西铁城晶振从设计阶段开始减少环保负荷的体制建设,西铁城晶振由环保主管董事担任整个集团的环保活动的总负责人,由环保部跨事业所支持和促进环保活动.此外,社长的咨询机构—环保委员会,还针对各西铁城晶振,石英晶体谐振器,西铁城石英晶振,石英振荡子,西铁城石英晶振据点的活动情况和全公司的环保课题进行议论和探讨.此外,为大力推进二氧化碳减排活动,设立了“防止全球变暖委员会”,加快设计、开发贴片晶振和生产过程中CO2减排活动的步伐.西铁城晶振,贴片晶振,CM200C晶振,CM200C32768DZBT晶振

截止到2006年度,西铁城晶振在国内外的所有生产据点以及国内的非生产据点——西铁城制作所总公司、东京分公司、营业所,均取得了ISO14001认证.此后,西铁城石英晶振努力开展体系整合,并于2007年3月在国内集团的34个据点完成了向ISO14001多站认证的转变.