LFTVXO063789BULK,IQXT-210晶振,IQD压控温补晶振,VCTCXO晶振
频率:10MHz
尺寸:5032mm
LFTVXO063789BULK,IQXT-210晶振,IQD压控温补晶振,VCTCXO晶振
英国IQD晶振中物料编码为LFTVXO063789BULK的IQXT-210晶振,其频率是10MHz,为VCTCXO晶振,输出方式为Clipped Sine Wave,该晶振的电压是3.3V,电流是10mA,其频率公差是±140ppb,精度偏差大,工作温度为-40°C~85°C,尺寸是5032mm,该晶振也叫5032振荡器,石英晶体振荡器,IQD压控温补晶振,八脚SMD贴片晶振,VCTCXO晶振,表面贴装型晶振。
英国IQD晶振中物料编码为LFTVXO063789BULK的IQXT-210晶振,其频率是10MHz,为VCTCXO晶振,输出方式为Clipped Sine Wave,该晶振的电压是3.3V,电流是10mA,其频率公差是±140ppb,精度偏差大,工作温度为-40°C~85°C,尺寸是5032mm,该晶振也叫5032振荡器,石英晶体振荡器,压控温补晶体振荡器,八脚SMD贴片晶振,VCTCXO晶振,表面贴装型晶振。压控温补晶体系列,VC-TCXO产品内部晶片焊接模式采用了,高精密点胶技术:晶片胶点的位置、大小:位置准确度以及胶点大小一致性,通过图像识别及高精密度数字定位系统的运用、使晶片的点胶的精度在±0.02mm之内。
LFTVXO063789BULK,IQXT-210晶振,IQD压控温补晶振,VCTCXO晶振
| 编码 | LFTVXO063789BULK |
| 品牌 | IQD晶振 |
| 型号 | IQXT-210 |
| 类型 | VCTCXO |
| 频率 | 10MHz |
| 输出方式 | Clipped Sine Wave |
| 电压 | 3.3V |
| 精度 | ±140ppb |
| 工作温度 | -40°C~85°C |
| 电流 | 10mA |
| 尺寸 | 5032mm |
LFTVXO063789BULK,IQXT-210晶振,IQD压控温补晶振,VCTCXO晶振
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| LFTCXO085774 | IQD晶振 | IQXT-200-50 | TCXO | 19.2MHz | HCMOS | 3.3V | ±280ppb | -40°C~105°C |
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| LFTVXO085766 | IQD晶振 | IQXT-200-48 | VCTCXO | 38.88MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppb | -40°C~105°C |
| LFTCXO085769 | IQD晶振 | IQXT-200-49 | TCXO | 10MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppb | -40°C~105°C |
| LFTCXO085775 | IQD晶振 | IQXT-200-51 | TCXO | 20MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppb | -40°C~105°C |
| LFTVXO085763 | IQD晶振 | IQXT-200-47 | VCTCXO | 20MHz | HCMOS | 3.3V | ±50ppb | -40°C~105°C |
| LFTCXO063709BULK | IQD晶振 | IQXT-200 | TCXO | 10MHz | HCMOS | 3.3V | ±280ppb | -20°C~70°C |
| LFTVXO063786BULK | IQD晶振 | IQXT-210-3 | VCTCXO | 12.8MHz | HCMOS | 3.3V | ±140ppb | -40°C~85°C |
| LFTVXO064612BULK | IQD晶振 | IQXT-210-3 | VCTCXO | 26MHz | HCMOS | 3.3V | ±140ppb | -40°C~85°C |
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| LFTCXO085779 | IQD晶振 | IQXT-200-52 | TCXO | 38.88MHz | HCMOS | 3.3V | ±100ppb | -40°C~105°C |
| LFTVXO085767 | IQD晶振 | IQXT-200-48 | VCTCXO | 38.88MHz | HCMOS | 3.3V | ±100ppb | -40°C~105°C |
| LFTVXO085761 | IQD晶振 | IQXT-200-46 | VCTCXO | 19.2MHz | HCMOS | 3.3V | ±100ppb | -40°C~105°C |
| LFTCXO085773 | IQD晶振 | IQXT-200-50 | TCXO | 19.2MHz | HCMOS | 3.3V | ±100ppb | -40°C~105°C |
| LFTVXO085764 | IQD晶振 | IQXT-200-47 | VCTCXO | 20MHz | HCMOS | 3.3V | ±100ppb | -40°C~105°C |
| LFTCXO085776 | IQD晶振 | IQXT-200-51 | TCXO | 20MHz | HCMOS | 3.3V | ±100ppb | -40°C~105°C |
| LFTVXO085758 | IQD晶振 | IQXT-200-45 | VCTCXO | 10MHz | HCMOS | 3.3V | ±100ppb | -40°C~105°C |
| LFTCXO063710BULK | IQD晶振 | IQXT-200-1-B | XO | 12MHz | HCMOS | 3.3V | ±280ppb | -20°C~70°C |
| LFTCXO063711BULK | IQD晶振 | IQXT-200-1-B | TCXO | 19.2MHz | HCMOS | 3.3V | ±500ppb | -20°C~70°C |
| LFTCXO063714BULK | IQD晶振 | IQXT-200-2-B | XO | 12MHz | Clipped Sine Wave | 3.3V | ±280ppb | -20°C~70°C |
| LFTCXO063715BULK | IQD晶振 | IQXT-200-2-B | TCXO | 19.2MHz | Clipped Sine Wave | 3.3V | ±500ppb | -20°C~70°C |
| LFTVXO063708BULK | IQD晶振 | IQXT-200-4-B | XO | 20MHz | Clipped Sine Wave | 3.3V | ±280ppb | -20°C~70°C |
| LFTCXO063712BULK | IQD晶振 | IQXT-200 | TCXO | 20MHz | HCMOS | 3.3V | ±280ppb | -20°C~70°C |
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| LFTVXO063703BULK | IQD晶振 | IQXT-200-3-B | VCTCXO | 19.2MHz | HCMOS | 3.3V | ±280ppb | -20°C~70°C |
| LFTVXO063701BULK | IQD晶振 | IQXT-200-3-B | VCTCXO | 10MHz | HCMOS | 3.3V | ±280ppb | -20°C~70°C |
| LFTVXO063702BULK | IQD晶振 | IQXT-200-3-B | VCTCXO | 12.8MHz | HCMOS | 3.3V | ±280ppb | -20°C~70°C |
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