6G网络电信晶振,Silicon差分振荡器Si535,535EB156M250DG
频率:156.25MHZ
尺寸:7.00mmx5.00mm
6G网络电信晶振,Silicon差分振荡器Si535,535EB156M250DG,尺寸7.00mmx5.00mm,频率156.25MHZ,电压2.5V,输出逻辑LVPECL,LVPECL输出晶振,LVPECL差分晶振,XO时钟晶体振荡器,石英晶体振荡器,7050mm有源晶振,有源晶体振荡器,低抖动差分晶振,低功耗差分晶振,低相位差分晶振,低相位差分晶振,路由器专用晶振,交换机差分晶振,网络电信差分晶振,有源贴片晶振具有低抖动低相位的特点,产品比较适合用于10/100G数据中心,10G以太网交换机/路由器,光纤通道/SAS/存储,企业服务器,网络,电信等领域。
Si535/536 XO采用Skyworks Solutions的先进DSPLL®电路以提供高速差分频率的超低抖动时钟。与传统XO不同,在传统XO时钟晶体振荡器中,每个输出都需要不同的晶体频率,Si535/536使用一个固定晶体来提供宽范围的输出频率。这种基于IC的方法允许晶体谐振器提供卓越的频率稳定性和可靠性。此外,DSPLL时钟合成提供了卓越的电源噪声抑制,简化了任务在噪声环境中生成低抖动时钟通信系统。基于Si535/536 IC的XO是工厂编程的在装运时,从而消除了与定制振荡器。6G网络电信晶振,Silicon差分振荡器Si535,535EB156M250DG.
6G网络电信晶振,Silicon差分振荡器Si535,535EB156M250DG,尺寸7.00mmx5.00mm,频率156.25MHZ,电压2.5V,输出逻辑LVPECL,LVPECL输出晶振,LVPECL差分晶振,XO时钟晶体振荡器,石英晶体振荡器,7050mm有源晶振,有源晶体振荡器,低抖动差分晶振,低功耗差分晶振,低相位差分晶振,低相位差分晶振,路由器专用晶振,交换机差分晶振,网络电信差分晶振,有源贴片晶振具有低抖动低相位的特点,产品比较适合用于10/100G数据中心,10G以太网交换机/路由器,光纤通道/SAS/存储,企业服务器,网络,电信等领域。
Si535/536 XO采用Skyworks Solutions的先进DSPLL®电路以提供高速差分频率的超低抖动时钟。与传统XO不同,在传统XO时钟晶体振荡器中,每个输出都需要不同的晶体频率,Si535/536使用一个固定晶体来提供宽范围的输出频率。这种基于IC的方法允许晶体谐振器提供卓越的频率稳定性和可靠性。此外,DSPLL时钟合成提供了卓越的电源噪声抑制,简化了任务在噪声环境中生成低抖动时钟通信系统。基于Si535/536 IC的XO是工厂编程的在装运时,从而消除了与定制振荡器。6G网络电信晶振,Silicon差分振荡器Si535,535EB156M250DG.
6G网络电信晶振,Silicon差分振荡器Si535,535EB156M250DG 参数表
Parameter | Symbol | Test Condition | Min | Typ | Max | Unit | ||||||||||||||||
Supply Voltage1 | V DD | 3.3 V option | 2.97 | 3.3 | 3.63 | V | ||||||||||||||||
2.5 V option | 2.25 | 2.5 | 2.75 | V | ||||||||||||||||||
Supply Current | IDD |
Output enabled LVPECL LVDS |
— — |
111 90 |
121 98 |
mA | ||||||||||||||||
Tristate mode | — | 60 | 75 | mA | ||||||||||||||||||
Output Enable (OE)2 | VIH | 0.75 x V DD | — | — | V | |||||||||||||||||
VIL | — | — | 0.5 | V | ||||||||||||||||||
Operating Temperature Range | TA | –40 | — | 85 | °C |
Parameter | Symbol | Test Condition | Min | Typ | Max | Unit | ||||||||||||||||
Nominal Frequency1 | fO | LVPECL/LVDS | 100 | — | 312.5 | MHz | ||||||||||||||||
Initial Accuracy | fi |
Measured at +25 °C at time of shipping |
— | ±1.5 | — | ppm | ||||||||||||||||
Temperature Stability1,2 |
–7 –20 |
— — |
+7 +20 |
ppm | ||||||||||||||||||
Aging | fa | Frequency drift over first year | ±3 | ppm | ||||||||||||||||||
Frequency drift over 20 year life |
— | — | ±10 | ppm | ||||||||||||||||||
Total Stability2 | Temp stability = ±20 ppm | — | — | ±31.5 | ppm | |||||||||||||||||
Temp stability = ±7 ppm | — | — | 20 | |||||||||||||||||||
Powerup Time3 | tOSC | TA = –40°C — +85°C | 10 | ms |
Parameter | Symbol | Test Condition | Min | Typ | Max | Unit | ||||||||||||||||
Nominal Frequency1 | fO | LVPECL/LVDS | 100 | — | 312.5 | MHz | ||||||||||||||||
Initial Accuracy | fi |
Measured at +25 °C at time of shipping |
— | ±1.5 | — | ppm | ||||||||||||||||
Temperature Stability1,2 |
–7 –20 |
— — |
+7 +20 |
ppm | ||||||||||||||||||
Aging | fa | Frequency drift over first year | ±3 | ppm | ||||||||||||||||||
Frequency drift over 20 year life |
— | — | ±10 | ppm | ||||||||||||||||||
Total Stability2 | Temp stability = ±20 ppm | — | — | ±31.5 | ppm | |||||||||||||||||
Temp stability = ±7 ppm | — | — | 20 | |||||||||||||||||||
Powerup Time3 | tOSC | TA = –40°C — +85°C | 10 | ms |
Parameter | Symbol | Test Condition | Min | Typ | Max | Unit | ||||||||||||||||
LVPECL/LVDS Phase Jitter* (RMS) |
φJ | 10 kHz to 1 MHz (data center) | — | 0.19 | 0.35 | ps | ||||||||||||||||
12 kHz to 20 MHz brickwall | — | 0.25 | 0.40 | ps | ||||||||||||||||||
Parameter | Symbol | Test Condition | Min | Typ | Max | Unit | ||||||||||||||||
LVPECL/LVDS Period Jitter* | J PER | RMS | — | 2 | — | ps | ||||||||||||||||
Peak-to-Peak | — | 14 | — | ps |
6G网络电信晶振,Silicon差分振荡器Si535,535EB156M250DG 尺寸图
有源晶振产品特性:
可从中选择频率
100兆赫至312.5兆赫
具有卓越性能的第三代DSPLL®
抖动性能和高功率
电源噪声抑制
频率稳定性比
SAW振荡器
提供LVPECL和LVDS输出
3.3和2.5 V电源选项
行业标准5 x 7毫米
包装和引脚
更多相关Silicon晶振型号
Manufacturer Part Number原厂代码 | 美国晶振品牌 | Series型号 | Frequency 频率 | Voltage - Supply电压 | Frequency Stability频率稳定度 |
511FBA212M500AAG | Silicon振荡器 | Si511 | 212.5MHz | 2.5V | ±25ppm |
510BBA200M000AAG | Silicon振荡器 | Si510 | 200MHz | 3.3V | ±25ppm |
511BBA212M500AAG | Silicon振荡器 | Si511 | 212.5MHz | 3.3V | ±25ppm |
510ABA200M000AAG | Silicon振荡器 | Si510 | 200MHz | 3.3V | ±25ppm |
511ABA200M000AAG | Silicon振荡器 | Si511 | 200MHz | 3.3V | ±25ppm |
530EC125M000DG | Silicon振荡器 | Si530 | 125MHz | 2.5V | ±7ppm |
531FC106M250DG | Silicon振荡器 | Si531 | 106.25MHz | 2.5V | ±7ppm |
531FC187M500DG | Silicon振荡器 | Si531 | 187.5MHz | 2.5V | ±7ppm |
531FC000110DG | Silicon振荡器 | Si531 | 148.35165MHz | 2.5V | ±7ppm |
531EC200M000DG | Silicon振荡器 | Si531 | 200MHz | 2.5V | ±7ppm |
531AC000110DG | Silicon振荡器 | Si531 | 148.35165MHz | 3.3V | ±7ppm |
531AC148M500DG | Silicon振荡器 | Si531 | 148.5MHz | 3.3V | ±7ppm |
535EB156M250DG | Silicon振荡器 | Si535 | 156.25MHz | 2.5V | ±20ppm |
510CBA25M0000BAG | Silicon振荡器 | Si510 | 25MHz | 3.3V | ±25ppm |
511SBA156M250BAG | Silicon振荡器 | Si511 | 156.25MHz | 1.8V | ±50ppm |
501JAA24M0000DAF | Silicon振荡器 | Si501 | 24MHz | 3.3V | ±50ppm |
501BAA16M0000DAF | Silicon振荡器 | Si501 | 16MHz | 3.3V | ±50ppm |
501JAA24M0000CAF | Silicon振荡器 | Si501 | 24MHz | 3.3V | ±50ppm |
501AAA27M0000CAF | Silicon振荡器 | Si501 | 27MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±50ppm |
501AAA25M0000BAF | Silicon振荡器 | Si501 | 25MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±50ppm |
501JAA40M0000CAF | Silicon振荡器 | Si501 | 40MHz | 3.3V | ±50ppm |
501AAA24M0000BAF | Silicon振荡器 | Si501 | 24MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±50ppm |
501EAA48M0000CAF | Silicon振荡器 | Si501 | 48MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±50ppm |
501AAA27M0000BAF | Silicon振荡器 | Si501 | 27MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±50ppm |
501EAA48M0000BAF | Silicon振荡器 | Si501 | 48MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±50ppm |
501JAA25M0000BAF | Silicon振荡器 | Si501 | 25MHz | 3.3V | ±50ppm |
501BAA50M0000BAF | Silicon振荡器 | Si501 | 50MHz | 3.3V | ±50ppm |
501AAA50M0000CAF | Silicon振荡器 | Si501 | 50MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±50ppm |
501EAA48M0000DAG | Silicon振荡器 | Si501 | 48MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±50ppm |
501AAA25M0000DAG | Silicon振荡器 | Si501 | 25MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±50ppm |
501HCA27M0000DAF | Silicon振荡器 | Si501 | 27MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±20ppm |
501ABA8M00000BAF | Silicon振荡器 | Si501 | 8MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±30ppm |
501HCA12M0000DAF | Silicon振荡器 | Si501 | 12MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±20ppm |
501JCA24M0000DAF | Silicon振荡器 | Si501 | 24MHz | 3.3V | ±20ppm |
501AAA24M0000BAG | Silicon振荡器 | Si501 | 24MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±50ppm |
501BCA16M0000BAF | Silicon振荡器 | Si501 | 16MHz | 3.3V | ±20ppm |
501JCA24M0000CAF | Silicon振荡器 | Si501 | 24MHz | 3.3V | ±20ppm |
501HCA26M0000BAF | Silicon振荡器 | Si501 | 26MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±20ppm |
501JAA25M0000BAG | Silicon振荡器 | Si501 | 25MHz | 3.3V | ±50ppm |
501BCA16M0000CAF | Silicon振荡器 | Si501 | 16MHz | 3.3V | ±20ppm |
501EAA48M0000CAG | Silicon晶振 | Si501 | 48MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±50ppm |
501BAA16M0000BAG | Silicon振荡器 | Si501 | 16MHz | 3.3V | ±50ppm |
501BAA16M0000CAG | Silicon振荡器 | Si501 | 16MHz | 3.3V | ±50ppm |
501JAA24M0000BAG | Silicon振荡器 | Si501 | 24MHz | 3.3V | ±50ppm |
501AAA27M0000BAG | Silicon振荡器 | Si501 | 27MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±50ppm |
501ACA10M0000CAF | Silicon振荡器 | Si501 | 10MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±20ppm |
501JAA40M0000BAG | Silicon振荡器 | Si501 | 40MHz | 3.3V | ±50ppm |
501ACA10M0000BAF | Silicon振荡器 | Si501 | 10MHz | 1.7 V ~ 3.6 V | ±20ppm |
501JCA10M0000BAF | Silicon振荡器 | Si501 | 10MHz | 3.3V | ±20ppm |
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采购:6G网络电信晶振,Silicon差分振荡器Si535,535EB156M250DG
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RENESAS晶体XF,XFP336312.500000I,瑞萨LVPECL差分晶振
物料编码为XFP336312.500000I的RENESAS晶体XF,该晶振的频率是312.5MHz,输出方式为LVPECL输出,是为瑞萨LVPECL差分晶振,其电压是3.3V,电流为110mA,该晶振的工作温度是-40°C~85°C,频率公差为±25ppm,尺寸是3225mm,该瑞萨差分晶振XF也叫瑞萨3225振荡器,3225 SMD晶振,瑞萨八脚SMD晶振,LVPECL输出差分晶振,Renesas差分晶振,差分晶体振荡器。
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编码为XUP536212.500JS6I的瑞萨XUP差分晶振频率是212.5MHz,为LVPECL输出晶振,其电压是3.3V,频率公差为±25ppm,该晶振的工作温度是-40°C~85°C,电流为115mA,5032mm尺寸,该晶振也叫5032振荡器,RENESAS LVPECL差分晶振,5032 SMD石英晶振。
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瑞萨XPRESSO FXO-PC72型号中物料编码为XLP728161.132000X的晶振频率是161.132MHz,输出方式为LVPECL输出,所以该晶振也叫作Renesas LVPECL振荡器。该晶振的电压是2.5V,频率公差为±20ppm,其工作温度是 -20°C~70°C,大体积7552mm尺寸,电流是41mA,该晶振也叫LVPECL差分晶振,6-SMD晶振。
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