富士晶振,VCXO晶振,FVO-700晶体振荡器
频率：1~170MHz
尺寸：7.0*5.0*1.5mm
富士晶振,VCXO晶振,FVO-700晶体振荡器,该系列晶振产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊盘(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.
有源晶振高频振荡器使用IC与晶片设计匹配技术:有源晶振是高频振荡器研发及生产过程必须要解决的技术难题.在设计过程中除了要考虑石英晶体谐振器具有的电性外,还有石英晶体振荡器的电极设计等其它的特殊性,必须考虑石英晶体振荡器的供应电压、起动电压和产品上升时间、下降时间等相关参数.
富士晶振公司股份有限公司位于日本山梨县南都留郡富士河口湖町胜山1430-1,富士晶振公司主要以石英晶振,电子元件,三端稳压管,LED照明,高压电容器,薄膜电容器等产品的生产与开发,在于2013年开始处理,软件的开发,今后在有线、无线通信设备的本公司商品化目标.今后更能迅速满足市场的需求.目前针对中国市场主要以石英晶振,石英晶体谐振器,石英晶体振荡器,普通有源晶振系列产品作为主打.
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富士晶振规格 |
符号 |
FVO-700 |
条件 |
|
输出频率范围 |
f0 |
1MHz~170MHz |
请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 |
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电源电压 |
VCC |
2.5V,3.3V,5.0V |
请联系我们以了解更多相关信息 |
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储存温度 |
T_stg |
-55℃~+125℃ |
裸存 |
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工作温度 |
T_use |
-40℃~+85℃ |
请联系我们查看更多资料www.ndkcrystal.net/ |
|
-10℃~+70℃ |
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|
频率稳定度 |
f_tol |
J:±25×10-6 |
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|
L:±50×10-6 |
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|
T:±100×10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5mAMax. |
无负载条件、最大工作频率 |
|
待机电流 |
I_std |
3.3μAMax. |
ST=GND |
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占空比 |
SYM |
45%to55% |
50%VDD极,L_CMOS≦15pF |
|
输出电压 |
VOH |
VCC-0.4VMin. |
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VOL |
0.4VMax. |
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|
输出负载条件 |
L_CMOS |
15pFMax. |
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|
输入电压 |
VIH |
80%VCCMax. |
ST终端 |
|
VIL |
20%VCCMax. |
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|
上升/下降时间 |
tr/tf |
4nsMax. |
20%VCC~80%VCC极,L_CMOS=15pF |
|
振荡启动时间 |
t_str |
3msMax. |
t=0at90% |
|
频率老化 |
f_aging |
±3×10-6/yearMax. |
+25℃,初年度,第一年 |
噪音
在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能导致会引发7050振荡器功能失常或击穿的闭门或杂散现象.
电源线路
电源的线路阻抗应尽可能低.
输出负载
建议将输出负载安装在尽可能靠近石英振荡器的地方(在20mm范围之间).
未用输入终端的处理
未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作.同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增加；因此,请将未用输入终端连接到VCC或GND.
抗冲击
石英晶振可能会在某些条件下受到损坏.例如从桌上跌落或在贴装过程中受到冲击.如果产品已受过冲击请勿使用.
辐射
暴露于辐射环境会导致石英晶体性能受到损害,因此应避免照射.
化学制剂/pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解日产晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品.
粘合剂
请勿使用可能导致SMD晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂.(比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶体单元的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能.)
富士通石英晶振坚持在发展中保护、在保护中发展,积极探索环境保护新道路,切实解决影响科学发展和损害群众健康的突出环境问题,全面开创环境保护工作新局面.
充分认识加强环境保护工作的重要性和紧迫性,把环境保护摆在更加重要的战略位置,以对国家、对民族、对子孙后代高度负责的精神,切实做好环境保护工作,推动经济社会全面协调可持续发展.
富士通晶振公司在生产石英晶振的过程中提倡从材料的选定到废弃过程中考虑环境质量的产品.加强制度建设,深化环境监管,向环境污染宣战,促进经济与环境协调发展.
积极参与公司内部活动和地区环境改善活动,为社会做出贡献,实现公司的社会责任.实施公司内部环境培训和训练,在满足压控晶振的生产目标的同时推进防污染和环保活动.遵守国内外法律,遵守与客户和地区的约定事项,与日常业务相融合,努力开展继续改善环境的工作.
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