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SG-210SDBA爱普生晶振X1G004601A00700空调温度控制器晶振应用

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SG-210SDBA爱普生晶振X1G004601A00700空调温度控制器晶振应用

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浏览：- 发布日期：2022-09-28 16:21:40【大中小】

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SG-210SDBA爱普生晶振X1G004601A00700空调温度控制器晶振应用

暖机时长通常从1分钟到10多分钟.有源晶振XO在一些应用中期望能够调谐或调整振荡器的频率,以便将其锁相到锁相环中的参考、或还可能是对波形进行调制.VCXO通过电子频率控制EFC电压输入提供此功能.爱普生晶振对于某些专用器件,XO的调谐范围规范可能在±10ppm到±100ppm甚至更高.XO和TCXO或OCXO通常包括EFC输入电压.这就允许进行调整,以便将输出频率精确地校准为标称值.

SG-210SDBA爱普生晶振X1G004601A00700,空调温度控制器晶振应用

爱普生有源晶振编码	型号	频率	长X宽X高	输出波	电源电压	工作温度	频差
X1G004611A00100	SG-210SEBA	24.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G004611A00300	SG-210SEBA	27.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-40 to 125 °C	+/-100 ppm
X1G004611A00400	SG-210SEBA	20.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-40 to 125 °C	+/-100 ppm
X1G004611A00500	SG-210SEBA	27.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G004601A00500	SG-210SDBA	16.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	2.200 to 3.000 V	-40 to 125 °C	+/-100 ppm
X1G004601A00700	SG-210SDBA	27.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	2.200 to 3.000 V	-40 to 125 °C	+/-100 ppm
X1G004611A00100	SG-210SEBA	27.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-40 to +125 °C	+/-100 ppm
X1G004611A00300	SG-210SEBA	20.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-40 to +125 °C	+/-100 ppm
X1G004611A00400	SG-210SEBA	25.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-40 to +125 °C	+/-100 ppm
X1G004611A00500	SG-210SEBA	24.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-40 to +125 °C	+/-100 ppm
X1G004601A00500	SG-210SDBA	16.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	2.200 to 3.000 V	-40 to +125 °C	+/-100 ppm
X1G004601A00700	SG-210SDBA	27.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	2.200 to 3.000 V	-40 to +125 °C	+/-100 ppm
X1G004601A00500	SG-210SDBA	16.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	2.200 to 3.000 V	-40 to 125 °C	+/-100 ppm
X1G004601A00700	SG-210SDBA	27.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	2.200 to 3.000 V	-40 to 125 °C	+/-100 ppm
X1G004601A01100	SG-210SDBA	27.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	2.200 to 3.000 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G004611A00100	SG-210SEBA	24.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G004611A00300	SG-210SEBA	27.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-40 to 125 °C	+/-100 ppm
X1G004611A00400	SG-210SEBA	20.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-40 to 125 °C	+/-100 ppm
X1G004611A00500	SG-210SEBA	27.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G004611A01200	SG-210SEBA	24.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-40 to 105 °C	+/-100 ppm
X1G004611A01300	SG-210SEBA	33.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G004611A01400	SG-210SEBA	16.666600 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-40 to 85 °C	+/-50 ppm
X1G004611A01600	SG-210SEBA	14.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm
X1G004611A01700	SG-210SEBA	37.125000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	1.600 to 2.200 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm

由于晶体的温度和振荡器的敏感部分的变化很小,频率-环境温度稳定性得到显着改善.在环境温度范围内XO的稳定性可以达到0.001ppm.然而这种稳定性的提升是以增加功耗为代价的,将热量提供给烤腔当然需要能量.日本进口晶振典型的XO可能需要1到5W的功率来维持内部温度.在开机后还需要等待温度和频率稳定下来的暖机时间取决于晶振类型.

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